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Leiter (m/w) des InP Devices Lab

Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH). Berlin, 29.06.2017

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Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) im Forschungs­verbund Berlin e.V. ist ein international führendes Forschungsinstitut auf den Gebieten der Mikrowellen- und mm-Wellen-Bauelemente, der Diodenlaser und der LEDs. Auf der Basis von III/V-Halbleitern erforscht und realisiert es Komponenten und Systeme u. a. für Anwendungen in Kommunikation, Verkehrs- und Produktionstechnik, Medizin und Biotechnologie. Es verfügt über die gesamte Wertschöpfungskette vom Design bis zu lieferfertigen Systemen. Weiteres unter: www.fbh-berlin.de
Für unsere Arbeiten bei der Entwicklung und Herstellung von Höchstfrequenz-Transistoren und MMICs mit InP-Heterobipolartransistoren suchen wir die/den

Leiterin / Leiter des InP Devices Lab
(Kennziffer 06/17)

Das InP Devices Lab bündelt die Arbeiten zur Technologie und der Bauelemententwicklung von InP-basierten Halbleitern. Als FBH betreiben wir in einer industrie-kompatiblen Reinraum-Umgebung einen InP-HBT Transferred-Substrate-Prozess für den Frequenzbereich über 100 GHz, der derzeit Transitfrequenzen von 450 GHz erreicht und mit dem integrierte Schaltungen bis 330 GHz realisiert wurden. Basierend darauf wurde gemeinsam mit dem Leibniz-Institut IHP ein InP-auf-BiCMOS-Prozess entwickelt, der auch für externe Partner zur Verfügung steht. Die Leitung des InP Devices Lab umfasst folgende wesentlichen Aufgaben:
  • Die inhaltliche Konzeption der laufenden Arbeiten sowie der Weiterentwicklung der jetzigen InP-Technologie in Richtung höherer Frequenzen bis 1 THz
  • Die Akquise und die Durchführung von Förderprojekten (BMBF, EU etc.)
  • Die Organisation der Arbeiten im Lab und die Verantwortung für die ca. 5 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter
Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) und eine Promotion in den Bereichen Physik, Elektrotechnik oder verwandten Fachrichtungen sowie umfangreiche Erfah­rungen und Kenntnisse in der Technologie von elektronischen III-V-Halbleiterbauelementen und ein ausgewiesenes wissenschaftliches Profil. Spezielle Kenntnisse im Bereich der InP-Bipolartransistoren und/oder der Höchstfrequenz-Halbleiter sind wünschenswert.
Wir suchen eine/einen Teamplayerin/Teamplayer mit einem hohen Maß an Kommunikations­fähig­keit und Zuverlässigkeit für die Arbeit in einem multidisziplinären Team von Wissenschaftlern und Technikern am FBH. Ein sicherer Umgang mit der englischen Sprache wird vorausgesetzt.
Die Stelle kann baldmöglichst besetzt werden. Sie ist zunächst auf 2 Jahre befristet, der Bedeutung der Funktion entsprechend aber mit der klaren Option auf eine anschließende Dauerstelle. Die Vergütung erfolgt nach TVöD (Bund).
Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Qualifizierte Frauen werden daher besonders aufgefordert, sich zu bewerben. Schwerbehinderte erhalten bei gleicher Qualifi­zierung den Vorzug.
Ihre Bewerbungen mit den üblichen Unterlagen senden Sie bitte bis zum 31.07.2017 unter An­gabe der entsprechenden Kennziffer an das:
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Frau Nadine Möller
(nadine.moeller@fbh-berlin.de)
Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin

Bewerbungsschluss: 31.07.2017